DCDC—20GHz射频MEMS开关(英文)

被引：9

作者：

朱健

林金庭

林立强

机构：

[1] 南京电子器件研究所!南京,南京电子器件研究所!南京,南京电子器件研究所!南京

来源：

半导体学报 | 2001年 / 06期

关键词：

微电子机械系统; 射频开关; 宽带;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM505 [制造工艺、安装];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关

引用

页码：706 / 709

页数：4

共 4 条

[1]

Micromachined low-loss microwave switches. Yao Z J,Chen S,Eshelman S,et al. IEEE Journal of Microelectromechanical Systems . 1999

[2]

＂30 GHz Tuned MEMS Switches＂. Jeremy B Muldavin,Gabriel M Rebeiz. IEEE MTT S International Microwave Symposium Digest . 1999

[3]

Fully Integrated Microm achined Capacitive Switches for RFApplications. Jea Y Park,,Geun H.Kim,Ki W.Chung,Jong U.Bu. IEEE MTT S International Microwave Symposium Digest . 2 0 0 0

[4]

P.Osterberg,,H.Yie,X.Cai,J.White,S.Senturia. Proc MEMS‘ 94 . 1994

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