源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

被引：7

作者：

赵洪辰

海潮和

韩郑生

钱鹤

机构：

[1] 中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心,中国科学院微电子中心北京,北京,北京,北京

来源：

半导体学报 | 2004年 / 06期

关键词：

源区浅结; 不对称SOI MOSFET; 辐照效应;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关

引用

页码：735 / 740

页数：6

共 6 条

[1]

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[2]

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