GIS在快速暂态过电压下的放电特性

被引：30

作者：

陈庆国

张乔根

邱毓昌

魏新劳

麻春

机构：

[1] 西安交通大学电气学院!陕西省西安市,西安交通大学电气学院!陕西省西安市,西安交通大学电气学院!陕西省西安市,哈尔滨工业大学电力系!黑龙江省哈尔滨市,黑龙江电力职工大学!黑龙江省哈尔滨市

来源：

电网技术 | 2000年 / 09期

关键词：

SF6间隙; 绝缘子; 快速暂态过电压; 放电特性; 气体绝缘开关装置;

D O I：

10.13335/j.1000-3673.pst.2000.09.001

中图分类号：

TM595 [全封闭组合电器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

SF6气体绝缘开关装置 (GIS)中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压 (VFTO) ,会造成 GIS的绝缘击穿事故。对 VFTO作用下的 GIS击穿特性进行了研究 ,同时通过光电检测的方法研究了雷电冲击和快速振荡冲击电压作用下的预放电特性。实验结果表明 ,由金属导电微粒所导致的绝缘子表面电荷积聚是造成 VFTO作用下的放电电压比雷电冲击下放电电压低的主要原因

引用

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