电极结构对AlGaInP-LED阵列电流分布的影响

被引:3
作者
尹悦 [1 ,2 ]
梁静秋 [1 ]
梁中翥 [1 ]
王维彪 [1 ]
机构
[1] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
[2] 中国科学院研究生院
关键词
电极结构; AlGaInP-LED; 电流分布; 三条形电极;
D O I
暂无
中图分类号
TN312.8 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
以AlGaInP-LED外延片为基片,设计了分辨率为320×240、像素尺寸为100μm×100μm的微型LED阵列。针对目前LED阵列普遍存在的电流分布不均匀的问题,建立了内部电流分布模型,研究了电极结构、电极尺寸及电极间距等不同因素对LED电流分布造成的影响。在单条形电极结构的基础上进行优化,综合考虑不透明电极的遮光效应等因素得到三条形电极结构为最优的电极结构,该电极结构的LED有源层均匀发光面积比未经优化的单条形电极提高了65.02%,比双条形电极提高25.63%,有效提高了微型LED阵列的出光效率,对改善LED芯片发光均匀性具有参考意义。
引用
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共 1 条
[1]  
Investigation of process technologies for the fabrication of AlGaInP mesa ultra high brightness light emitting diode[J] . B Schineller,Y Junas,M Heuken,K Heime.Materials Science & Engineering B . 1998 (1)