中频对靶磁控溅射合成TiN／Ti多层膜

被引：20

作者：

于翔 ^{[1
]}

王成彪 ^{[1
]}

刘阳 ^{[2
]}

于德洋 ^{[2
]}

机构：

[1] 中国地质大学表面工程研究所

[2] 北京实力源科技有限公司

来源：

金属学报 | 2006年 / 06期

关键词：

TiN／Ti多层膜; 磁控溅射; 力学性能; 表面缺陷;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.05 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN／Ti多层膜．考察了不同Ti间隔层对多层膜硬度和结合力的影响,分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理;利用正交实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,对工艺参数进行了优化．结果表明,靶电流对缺陷密度的影响最大,气体压力次之,基体偏压对缺陷密度影响最小;当靶电流I=20 A、气体压力P(Ar+N2)=0．31 Pa、基体偏压Vbias=-160--300 V和Ti间隔层厚度x=0．12 μm时,制备出硬度HV0．2 N=2250、膜基间结合力(临界载荷)Lc=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm-2的高质量TiN／Ti多层膜．

引用

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