一种为碳化硅MOSFET设计的高温驱动电路

被引：53

作者：

祁锋 ^{[1
]}

徐隆亚 ^{[1
]}

王江波 ^{[2
]}

赵波 ^{[2
]}

周哲 ^{[2
]}

机构：

[1] 俄亥俄州立大学

[2] 国网智能电网研究院

来源：

电工技术学报 | 2015年 / 30卷 / 23期

关键词：

驱动电路; 高温器件; 电路仿真; 高温性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

由于碳化硅材料具有宽带隙、高临界电场强度、高饱和速度和高导热率的特性,其可达到比硅器件更高的耐压值、更快的开关速度和更高的工作结温,使得碳化硅器件成为理想的新一代电力电子器件。为了满足碳化硅器件在高温情况下应用的需求,驱动电路同样需要具备高温下工作的能力。对现阶段高温驱动电路发展情况进行了总结,提出一种基于变压器隔离与高温硅基分立器件的高温驱动电路,并在OrCAD PSpice环境下对电路进行仿真分析,随后在高温箱中进行实验,对提出的高温驱动电路工作性能进行评估。

引用

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