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硫酸钙对等值盐密贡献的定量分析与验证
被引:25
作者
:
刘煜
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刘煜
王少俊
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王少俊
范立群
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范立群
刘基勋
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河南电力试验研究院
刘基勋
机构
:
[1]
河南电力试验研究院
[2]
河南职业技术师范学院
[3]
河南省电力勘测设计院
来源
:
高电压技术
|
2005年
/ 02期
关键词
:
绝缘子表面污秽;
等值盐密;
闪络电压;
硫酸钙(CaSO4);
定量分析;
D O I
:
10.13336/j.1003-6520.hve.2005.02.004
中图分类号
:
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
:
摘要
:
定量计算了CaSO4对等值盐密(ESDD)的贡献,并通过比较闪络电压Uf的实测值与计算值给出了间接验 证。结果表明,CaSO4对X-4.5型绝缘子实际盐密的贡献值≤9.4μg/cm2,其表观盐密数值范围是0~0.31mg/ cm2。污秽中w(CaSO4)>18.32mg时表观盐密高于实际盐密。用实际盐密修正表观盐密可使Uf的计算值与实 测值基本吻合。用NaCl和CaSO4混合盐进行的人工污秽试验表明,Uf随混合盐中w(CaSO4)增加而升高的主要 原因是实际盐密随着w(CaSO4)增加而下降。自然污秽绝缘子Uf高于人工污秽的重要原因是其w(CaSO4)高,使 实际盐密显著小于表观盐密。该结果可供用光纤传感器和光谱法测量盐密时参考。
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