飞秒激光的波长对SiC材料烧蚀的影响

被引：21

作者：

陈洪新 ^{[1
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贾天卿 ^{[2
]}

黄敏 ^{[1
]}

赵福利 ^{[1
]}

许宁生 ^{[1
]}

徐至展 ^{[2
]}

机构：

[1] 中山大学光电材料与技术国家重点实验室

[2] 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室

来源：

光学学报 | 2006年 / 03期

关键词：

超快光学; 烧蚀阈值; 微加工; 飞秒激光; 光致电离; 碰撞电离;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用];

学科分类号：

摘要：

利用10倍的显微物镜将近红外飞秒激光脉冲汇聚到宽带隙半导体材料6H SiC的前表面,研究样品的烧蚀及诱导微细结构。用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)及光学显微镜测量烧蚀斑。利用烧蚀面积与激光脉冲能量的关系确定SiC的烧蚀阈值。给出了SiC样品的烧蚀阈值与飞秒激光波长的依赖关系。实验结果表明,可见光区随波长增加,烧蚀阈值从0.29J/cm2增加到0.67J/cm2;而在近红外区,SiC的烧蚀阈值为0.70J/cm2左右,基本上不随激光波长变化而改变。结合计算结果,可以认为在飞秒激光烧蚀SiC的过程中,在近红外区,光致电离和碰撞电离均起到了重要的作用;而在可见光区,光致电离的作用相对大一些。

引用

页码：467 / 470

页数：4

共 5 条

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