SiC半导体材料及其器件应用

被引：14

作者：

杨克武

潘静

杨银堂

机构：

[1] 电子十三所!石家庄

[2] 西安电子科技大学!西安

来源：

关键词：

SiC单晶材料; 工艺; 高温半导体器件; 短波长发光器件;

D O I：

10.13250/j.cnki.wndz.2000.02.003

中图分类号：

TN304.24 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。

引用

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