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ITO薄膜的XPS和AES研究
被引：36
作者：
陈猛
裴志亮
白雪冬
黄荣芳
闻立时
机构：
[1] 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
来源：
关键词：
化学状态;
光电子能谱;
俄歇电子能谱;
Gauss拟合;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB43 [薄膜技术];
学科分类号：
080101 [一般力学与力学基础];
摘要：
分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集
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页码：173 / 178
页数：6
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