硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究

被引：4

作者：

孙钟林

薛俊明

耿卫东

于振瑞

陆靖谷

机构：

[1] 南开大学光电子所

来源：

光电子·激光 | 2001年 / 12期

关键词：

离子注入C; 退火; 微晶碳化硅;

D O I：

10.16136/j.joel.2001.12.011

中图分类号：

TN305.3 [掺杂];

学科分类号：

摘要：

为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽带隙 μ c- Si C中能量回传很少 ,故对 Er在波长 1.5 4 μm的室温光致发光是有利的

引用

页码：1247 / 1249

页数：3

共 5 条

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