生长条件和退火对金刚石薄膜光学性质的影响

被引：2

作者：

马哲国

夏义本

王林军

方志军

张伟丽

张明龙

机构：

[1] 上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院上海,上海,上海,上海,上海,上海

来源：

光学学报 | 2003年 / 08期

关键词：

薄膜光学; 微波等离子体化学气相沉积; 金刚石薄膜; 光学性质; 红外椭圆偏振光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

提出一种分析微波等离子体化学气相沉积工艺条件对金刚石薄膜的组成和光学性质影响的方法。采用红外椭圆偏振光谱仪来分析Si衬底上金刚石薄膜的组成和光学性质 ,研究微波等离子体化学气相沉积法生长条件和退火工艺对金刚石薄膜的消光系数和折射率的影响。实验表明金刚石薄膜中存在C -H、C =C、O -H和C =O键 ,生长条件对薄膜中C -H和C =C键的含量及薄膜的折射率影响较大 ;薄膜经过退火后薄膜的光学性质得到明显改善。

引用

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