用密度泛函理论研究一种新型有机硅化合物异构体的振动光谱

被引：10

作者：

赵一新

崔孟忠

唐小真

王曙光

机构：

[1] 上海交通大学化学化工学院

来源：

化学学报 | 2005年 / 14期

关键词：

密度泛函理论(DFT); 几何异构体; 红外振动光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O627.41 [硅有机化合物];

学科分类号：

摘要：

在B3LYP/6-31+G（d）的水平上,对两种含有手性Si原子的新型有机硅单体Si2（CH3）2H2N2（C2H5）4和Si4（CH3）4H4N2（C6H5）2的几种异构体进行了研究,在全参量几何构型优化的基础上,进行了简谐振动频率计算,同时对所研究的体系进行了热力学性质和低能激发态的含时密度泛函理论（TDDFT）计算.理论计算表明,构象异构体之间的红外光谱差异不大,热力学和低能激发态性质也相似;顺/反结构相似的异构体之间红外光谱差异不大,但热力学和低能激发态性质却呈现差异;旋光异构体或顺/反结构相差较大的异构体之间,红外光谱和热力学及低能激发态性质有明显的差异.从理论上解释了实验红外光谱中Si—H振动峰的裂分是由异构体的存在所致,并找到裂分峰所对应的异构结构.Si—H键振动频率与其键长相关.

引用

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页数：7