基于增强密勒效应的IGBT串联有源均压新方法

被引：11

作者：

蒋燕 ^{[1
]}

罗洋 ^{[2
]}

郑连清 ^{[2
]}

机构：

[1] 重庆电力高等专科学校

[2] 重庆大学电气工程学院

来源：

高压电器 | 2012年 / 48卷 / 04期

关键词：

IGBT; 串联; 附加电容; 密勒效应; 有源均压;

D O I：

10.13296/j.1001-1609.hva.2012.04.001

中图分类号：

TN322.8 []; TM46 [变流器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

为解决由器件驱动信号不一致引起的多个IGBT串联电压不均衡问题,以实现串联IGBT在大功率高电压场合中的应用,笔者结合功率侧和栅极侧IGBT串联均压辅助电路的优点,提出一种基于增强密勒效应的IGBT串联有源均压辅助电路,并对其工作原理进行了论述。然后,建立IGBT串联仿真电路,对不带和带该均压辅助电路两种情况进行仿真。仿真结果表明,该均压辅助电路在IGBT串联运行时不仅能够很好地抑制IGBT驱动信号不一致造成的电压不均衡,而且能够有效防止过电压的发生,确保了IGBT串联的安全运行。

引用

页码：29 / 32+38 +38

页数：5

共 6 条

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