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提高IGBT开关速度的技术
被引：5
作者：
袁寿财
朱长纯
机构：
[1] 西安电力电子技术研究所
来源：
关键词：
绝缘栅双极晶体管,开关时间,辐照;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386.202 [];
学科分类号：
摘要：
简要分析了ＩＧＢＴ（绝缘栅双极晶体管）的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果，并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论。
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页数：4
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