二氧化硅表面硅羟基含量的测定方法

被引：9

作者：

赵鹏 ^{[1
]}

陈爱城 ^{[1
,2
]}

戴勇 ^{[1
]}

关怀民 ^{[3
]}

童跃进 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 福建师范大学化学与化工学院

[2] 福建师范大学化工新材料研究所

[3] 福建师范大学材料科学与工程学院

来源：

广州化工 | 2016年 / 44卷 / 02期

关键词：

二氧化硅; 表面硅羟基; 定量测定; 化学方法; 物理方法;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ127.2 [硅及其无机化合物];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

二氧化硅表面存在有三种硅羟基,分别为孤立羟基、邻位羟基和偕羟基。二氧化硅表面硅羟基的含量与二氧化硅的吸附性能以及其表面性能有关,并直接影响着其应用如用作橡胶补强剂、药物传送和薄膜技术等。因此,定量测定二氧化硅表面硅羟基的含量具有十分重要的意义。本文介绍了近年来国内外二氧化硅表面硅羟基含量的测定方法,主要包括滴定法、同位素交换法等化学方法以及热重分析法、核磁分析法等物理方法。

引用

页码：30 / 32

页数：3

共 9 条

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