半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展

被引：8

作者：

巩锋

臧竞存

杨敏飞

机构：

[1] 北京工业大学材料科学与工程学院

[2] 北京工业大学材料科学与工程学院北京

[3] 北京

[4] 北京

来源：

材料导报 | 2003年 / 02期

关键词：

ZnO晶体; 直接宽带隙材料; 半导体材料;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。

引用

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页码：35 / 37+75 +75

页数：4

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