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高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
被引：16
作者：
郭晓旭
朱美芳
刘金龙
韩一琴
许怀哲
董宝中
生文君
韩和相
机构：
[1] 中国科学技术大学研究生院物理系
[2] 中国科学院半导体材料科学实验室
[3] 中国科学院高能物理研究所
[4] 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
来源：
关键词：
微晶硅薄膜;
高氢稀释;
热丝化学气相沉积;
结构特征;
晶态;
红外谱;
氢稀释度;
晶化程度;
微结构;
土壤结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
O753.1,O76 [];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜．其结构特征用Ｒａｍａｎ谱，红外透射谱，小角Ｘ射线散射等来表征．结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χｃ随氢稀释度的提高而增加．而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少．小角Ｘ射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加．结合红外谱和小角Ｘ射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中Ｈ的键合状态．认为随着晶化的发生和晶化程度的提高Ｈ逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中Ｈ的存在形式从以ＳｉＨ为主向ＳｉＨ２转变，即在微晶硅膜中主要以ＳｉＨ２形式存在于晶粒的界面．
引用
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页码：135 / 140
页数：6
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