离子注入红霉素产生菌诱变高产菌株及其机理初步研究

被引:35
作者
陈宇
林梓鑫
张峰
毛应俊
柳襄怀
汤建中
朱卫民
黄勃
机构
[1] 中国科学院上海冶金研究所
[2] 上海先锋药业公司抗生素研究所
关键词
离子注入,红霉素产生菌,突变,电子自旋共振分析;
D O I
10.13461/j.cnki.cja.002164
中图分类号
R978.19 [];
学科分类号
摘要
用40~60keV、剂量1×1011~5×1014ions/cm2的N+离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异,在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关,离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢子颜色发生变化,经筛选得到了高产突变菌株,摇瓶发酵表明高产突变菌株产量可提高20%以上。与紫外线诱变相比,离子注入诱变具有突变范围广和突变程度高的特点。ESR测试表明离子注入产生的自由基对生物效应基本上无影响,离子注入生物效应主要应由注入离子与生物分子的直接作用引起。对离子注入诱变的机理进行了探讨。
引用
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