非高斯分布噪声下诱发电位潜伏期变化自适应检测

被引：3

作者：

邱天爽

孔轩

郭颖

机构：

[1] 大连理工大学电子与信息工程学院

[2] 北伊利诺斯大学电子工程系

[3] 中国医科大学附属第一医院辽宁大连

[4] Dekalb

[5] 美国

[6] 辽宁沈阳

来源：

大连理工大学学报 | 2002年 / 03期

关键词：

潜伏期; 自适应滤波/非高斯; α稳定分布噪声; 诱发电位;

D O I：

暂无

中图分类号：

Q64 [生物电磁学];

学科分类号：

071011 ;

摘要：

传统的高斯分布白噪声的模型不能很好地描述 EP信号中脑电图 (EEG)和其他噪声的特性 .因此 ,根据α稳定分布噪声理论和 EP信号中噪声的非高斯特性 ,提出了一种基于最小分数低阶矩的自适应诱发电位潜伏期估计方法 .这种方法既可以应用于高斯噪声环境 ,又在低阶α稳定分布噪声 (一类典型的非高斯噪声 )环境下具有良好的韧性 ,是一种可靠的检测EP信号潜伏期变化的方法 .分析和实验表明 ,α稳定分布噪声模型是一种适合于描述带噪EP信号统计特性的随机噪声模型 ,所得到的 EP信号潜伏期变化的检测结果 ,与神经系统的真实状态及其变化一致

引用

页码：371 / 375

页数：5

共 4 条

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