共 1 条
[1]
功率MOSFET与高压集成电路.[M].陈星弼.东南大学出版社.1990,
新型功率器件IGBT研制
被引：2
作者：
袁寿财
机构：
[1] 西安电力电子技术研究所西安
来源：
关键词：
IGBT;
VDMOS;
元胞;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN34 [晶闸管（可控硅）];
学科分类号：
070208 [无线电物理];
摘要：
本文简述了IGBT的设计技术和制造工艺,对IGBT的I-V特性、开关特性及闩锁效应进行了系统的研究,结合实施工艺对IGBT的版图及工艺进行了优化设计.合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料.成功地制作了10A/800V、20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果.
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