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一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究
被引:3
作者
:
朱兴国
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机构:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
朱兴国
张明
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机构:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
张明
徐敏
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
徐敏
董国胜
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机构:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
董国胜
金晓峰
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机构:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
金晓峰
机构
:
[1]
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
[2]
复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海 浙江工学院基础部
[3]
杭州
[4]
上海
来源
:
半导体学报
|
1993年
/ 11期
关键词
:
Mn;
GaAs;
反射式高能电子衍射;
清洁表面;
表面相;
样品架;
面心立方结构;
点阵参数;
晶格常数;
电子态;
磁性;
表面再构;
RHEED;
入射电子;
衍射图样;
原子密度;
激发态;
亚稳态;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5%的膨胀,这一晶格畸变随着与界面距离的增大而逐步减少。
引用
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页码:718 / 722+726 +726
页数:6
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