基于门极阻容补偿网络的IGBT串联均压方法

被引:12
作者
梅桂芳 [1 ]
安昱 [1 ]
张建 [2 ]
机构
[1] 西安许继电力电子技术有限公司
[2] 许继集团有限公司
关键词
IGBT串联; 门极阻容网络; 动态特性; 关断特性;
D O I
暂无
中图分类号
TN322.8 [];
学科分类号
摘要
针对IGBT串联应用中关断过程均压问题,对IGBT的关断过程进行了详细分析,总结出影响IGBT关断过程的核心等效电路和计算公式。在此基础上提出一种基于门极补偿阻容网络的IGBT串联均压方法,推导出增加门极阻容补偿网络后串联IGBT动态电压不均衡度和关断时间影响的计算公式,并提出门极阻容网络参数的选取原则。建立基于Lumped Charge方法的IGBT半物理数值模型,对IGBT门极阻容补偿网络进行仿真验证。给出了实际测试工况下的补偿网络参数,建立IGBT串联均压实验系统,进行多种电压、电流工况下的实验验证。仿真和实验表明:该方法可以有效控制串联IGBT的延迟时间和动态电压上升速率的差异,在母线电压为2 000V和关断峰值电流为1 500A时,采用该控制方法可将串联IGBT的动态尖峰电压不均衡度由14.4%降至6.3%。
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