半导体激光器的M2因子可以小于1

被引：5

作者：

徐锦心

赵道木

周国泉

王绍民

机构：

[1] 浙江大学物理系!杭州,浙江大学物理系!杭州,浙江大学物理系!杭州,浙江大学物理系!杭州

来源：

关键词：

双异质结半导体激光器; 非傍轴矢量矩理论; 光束质量因子;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

根据 Porras的非傍轴矢量矩理论 ,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究 .结果表明 ,在有源层厚度 da远小于波长 λ的条件下 ,半导体激光器的 M2 因子可以小于 1 ,并且没有下限 .

引用

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