金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

被引：9

作者：

田敬民

机构：

[1] 西安理工大学微电子技术教研室!西安

来源：

关键词：

气敏传感器; 工作温度; SnO2; 气体传感器; 金属氧化物半导体; 阻值;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

<正>SnO2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能

引用

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