半导体异质结界面能带排列的实验研究

被引：6

作者：

卢学坤

王迅

机构：

[1] 复旦大学表面物理实验室

来源：

关键词：

异质结; 量子阱; 超晶格; 子能带; 半导体结; 超点阵; 价带偏移; 能带偏移; 电工材料; 半导体材料; 光电发射能谱; 光电子能谱; 载流子(半导体); 空穴; 半导体异质结界面; GaAs;

D O I：

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摘要：

本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了AlxGa-xAs/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。

引用

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