霍尔式角位移传感器电磁兼容设计

被引：8

作者：

刘荣先 ^{[1
]}

李凡 ^{[2
]}

秦永法 ^{[3
]}

机构：

[1] 扬州大学汽车工程实验总厂

[2] 扬州大学能源与动力工程学院

[3] 扬州大学机械工程学院

来源：

河北大学学报(自然科学版) | 2013年 / 33卷 / 06期

关键词：

电磁兼容; 霍尔式角位移传感器; 抗干扰电路; 磁路屏蔽结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器]; TN03 [结构];

学科分类号：

080202 ; 080904 ;

摘要：

为解决霍尔式角位移传感器的电磁兼容问题,分别对抗干扰电路和磁路屏蔽结构进行了研究和设计.根据电磁干扰的3要素,设计了新颖实用的抗干扰电路和磁路屏蔽结构,经实验室和长沙汽车电器检测中心检验后,电磁兼容性符合相关标准.

引用

页码：661 / 666

页数：6

共 6 条

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