分析传导EMI的功率MOSFET建模

被引：21

作者：

袁义生

钱照明

机构：

[1] 浙江大学电气工程学院

来源：

浙江大学学报(工学版) | 2003年 / 02期

关键词：

VDMOS; 传导EMI; 建模技术;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

摘要：

基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数.在Saber仿真软件中,利用现有的LDMOS模型为核心,构筑功率VDMOS的子电路模型,作为精确的瞬态和传导电磁干扰(ElectromagneticInterference,EMI)仿真使用.最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性和有效性.

引用

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