SU-8的紫外深度光刻模拟

被引：8

作者：

田学红

刘刚

田扬超

张新夷

机构：

[1] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室

[2] 复旦大学同步辐射研究中心合肥

[3] 合肥

[4] 上海

来源：

真空科学与技术 | 2002年 / 06期

关键词：

SU-8; 菲涅耳衍射; 紫外光刻; MEMS;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2002.06.005

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

在微电子机械系统 (MEMS)中 ,大高宽比微结构被广泛应用。由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响 ,并与实验结果进行了比较 ,理论模拟结果和实验比较吻合。因此 ,通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量 ,以便得到更好的微结构图形

引用

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页数：4

共 4 条

[1]

Micromachining applications of a high resolution ultrathick photoresist. Lee K Y,LaBianca N,Rishton S A et al. Journal of Vacuum Science and Technology . 1995

[2]

The LIGA Process for Fabrication of Three-Demensional Microscale Structure. Bley P. Interdisciplinary Science Reviews . 1993

[3]

SU 8processdatafromMicroChemCorp. .

[4]

high aspect ratio resist for thick film applications. LaBianca N,Gelorme J D. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 1995

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