间断充氧提高TiO2膜沉积速率的研究

被引：5

作者：

信觉俗

单五桥

机构：

[1] 东北大学!沈阳

来源：

表面技术 | 1999年 / 02期

关键词：

磁控溅射法; TiO2膜; 沉积速率;

D O I：

10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.1999.02.002

中图分类号：

TQ153 [电镀工业];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

用直流反应磁控溅射法,进行了连续充氧和不同周期间断充氧方式在玻璃基片上沉积TuO2膜的实验。用得到的最佳间断充氧条件,TiO2膜沉积速率是连续充氧条件的1.8倍。TiO2膜组分、深度分布及理化性能与连续充氧无明显区别。

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页数：4

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[1]

Reactive High Rate D.C Sputtering of Oxides P. Wirz. Scherer M. Thin Solid films . 1984

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