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碳化硅作为先进材料的应用与制备
被引:1
作者
:
黄汉生
论文数:
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引用数:
0
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0
黄汉生
机构
:
来源
:
化工新型材料
|
1993年
/ 10期
关键词
:
SIC;
非晶;
衬底;
基片;
多晶型;
碳化硅;
电子器件;
掩膜;
反光镜;
反射镜;
化学气相淀积;
太阳电池;
结构件;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> 很少材料具有和碳化硅(SiC)一样卓越的综合性能。在物理性质方面,碳化硅具有几乎和金刚石一样的极高硬度,它能耐1000℃以上的温度,在这样的高温下不发生明显变化。作为半导体,和硅一样,碳化硅具有许多优良特性,适合用于在高温和高频条件下工作及在辐射环境中工作的电子器件。它还有透明性,刚性和强度极高的特点。由于具有这样一些引人注目的特性,SiC一直是由研磨材料到高温器件的各种传统与精密用途的首选材料。
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页码:28 / 30
页数:3
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