SiC新型半导体器件及其应用

被引：14

作者：

张进城

郝跃

赵天绪

王剑屏

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所

来源：

西安电子科技大学学报 | 2002年 / 02期

关键词：

SiC分立器件; SiC集成电路; 高温; 大功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状 ,分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题 ,同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状 ,并对其应用前景进行了展望 .

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页码：157 / 162

页数：6

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[1] PROGRESS IN SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR ELECTRONICS TECHNOLOGY [J].

NEUDECK, PG .

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1995, 24 (04) :283-288