大功率氮化镓基白光LED模组的散热设计

被引：9

作者：

马洪霞 ^{[1
]}

钱可元 ^{[1
]}

韩彦军 ^{[2
]}

罗毅 ^{[1
]}

机构：

[1] 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室

[2] 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室

来源：

半导体光电 | 2007年 / 05期

关键词：

散热; LED; GaN;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.2007.05.006

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

散热设计是大功率发光二极管(LED)模组结构设计的重要环节。首先利用计算流体力学方法对自然对流条件下大功率LED模组的温度场进行了模拟,提出并优化了模组可采用的散热片结构,进而对影响模组散热的其他关键因素进行了分析,结果表明,提高关键封装材料如银胶的热导率能够有效地降低芯片温度,提高芯片温度均匀性;多芯片封装时芯片的整体温度及均匀性相对于单芯片封装皆有改善。优化后的封装结构在5 W电功率注入条件下,芯片结温约60℃。

引用

页码：627 / 630

页数：4

共 5 条

[1]

Temperature dependence of the radiativerecombination zone in InGaN/GaN multiple quantumwell light-emitting diodes. Lee C. Journal of Applied Physiology . 2002

[2]

Thermalanalysis and design of GaN-based LEDs for high powerapplications. Kim L,Lee G W,Hwang W J,et al. Phys.State Sol.(C) . 2003

[3]

Chip scale thermal management of high brightness LED package[s J]. Arik M,,Weaver S. Proceedings of SPIE the International Society for Optical Engineering . 2004

[4]

Junction—temperature measurement in GaN ultraviolet light—emitting diodes using diode forward voltage method. Xi Y,Schubert E F. App1.Phys.Lett . 2004

[5]

High-power phosphor-converted light-emitting diodes basedonⅢ-nitrides. Regina M M,Gerd O M,Krames M R,et al. IEEE Journal on Selected Topics inQuantum Electronics . 2002

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