磁谐振耦合电能传输系统中逆变电路MOSFET损耗的分析

被引：3

作者：

田声洋

张林

薛红喜

机构：

[1] 电子科技大学电子工程学院

来源：

关键词：

磁耦合谐振; 逆变电路; 多路复用; 损耗; 仿真;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM464 [逆变器];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

对于磁谐振耦合电能传输系统,逆变电路是必不可少的。并联MOSFET可以降低其导通损耗,同时会降低其开关速度,在频率较高时并不适用。提出一种全新的多路开关器件复用导通的技术,降低单管损耗。设计一种可行的系统方案,并用Cadence SPB 16.3中的Pspice工具进行仿真,验证方案有效性。

引用

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