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两种新型衬底材料LiAlO2和LiGaO2晶体的腐蚀形貌和缺陷研究
被引：10
作者：
徐科
邓佩珍
徐军
周永宗
刘文军
蒋树声
蒋建华
机构：
[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所
[2] 南京大学固体微结构物理实验室
[3] 中国科学院北京高能物理研究所
来源：
关键词：
铝酸锂，镓酸锂，衬底，缺陷，X射线衍射貌相术，透射电子显微镜;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.1998.03.002
中图分类号：
O77,O614.111 [];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２是目前找到的和ＧａＮ晶格失配率最小的两种晶体，其失配率分别为１．４％和０．２％．本研究分别利用温梯法和提拉法成功地生长出了ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２单晶．通过化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜和Ｘ射线衍射貌相术对两种晶体中的缺陷特征进行了分析，研究了晶体特性、生长方法和缺陷形成的关系．用温梯法生长的ＬｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡、包裹物．ＬｉＡｌＯ２晶体中的位错密度约为３．８×１０４—６．０×１０４／ｃｍ２，晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌，可能是由于温度场不稳定及生长速率太快造成的．而用普通的提拉法生长的ＬｉＧａＯ２晶体由于原料按非化学计量比挥发，致使组分偏离，容易产生γ－Ｇａ２Ｏ３包裹物，包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用，往往形成平行于（００１）面的亚晶界，通过调整原料配比及生长工艺参数可克服上述问题．测得ＬｉＧａＯ２晶体的位错密度为７．０×１０５—９．２×１０５／ｃｍ２．温梯法在生长有熔体组分挥发的晶体方面远优于提拉法
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