磁饱和式可控电抗器的等效物理模型及其数学模型

被引:59
作者
田铭兴
励庆孚
王曙鸿
机构
[1] 西安交通大学电气工程学院
关键词
磁饱和式可控电抗器; 物理模型; 数学模型;
D O I
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.2002.04.004
中图分类号
TM471 [限流电抗器];
学科分类号
摘要
概述了磁饱和式可控电抗器的基本结构和工作原理。根据磁饱和式可控电抗器两个铁心及绕组的结构完全对称以及它们工作状态在正负半周里呈镜像对称的特点 ,利用傅里叶级数分析方法分析了各支路电流谐波分量及其关系。通过对两种结构形式的磁饱和式可控电抗器电磁方程的推导和比较 ,发现它们的数学本质是一致的 ,由此得到了磁饱和式可控电抗器的一种比较简单的等效物理模型。通过引入绕组端口等效磁通的概念建立了它的数学模型。该数学模型概念清晰 ,重点突出 ,形式简单 ,有利于磁饱和式可控电抗器理论的统一分析 ,且对设计研究具有一定的理论指导意义。
引用
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页码:18 / 21+35 +35
页数:5
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