用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性

被引：1

作者：

熊卫华

熊祖洪

陆昉

机构：

[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海,复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海,复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海

来源：

关键词：

光电流; 多孔硅微腔; PL谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.12 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .

引用

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