热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能

被引:9
作者
唐汉玲 [1 ]
曾燮榕 [2 ]
熊信柏 [2 ]
李龙 [2 ]
邹继兆 [1 ]
机构
[1] 西北工业大学材料科学与工程学院
[2] 深圳大学材料科学与工程学院
关键词
SiC陶瓷; 等温氧化; 非等温氧化;
D O I
暂无
中图分类号
TF124.5 [];
学科分类号
080502 ;
摘要
采用硅作为烧结助剂热压烧结SiC陶瓷,用扫描电镜、X射线衍射仪和热重分析仪研究了不同状态SiC陶瓷的氧化性能。结果表明:未预处理SiC在等温氧化过程中,600~1 100℃区间内,等温氧化动力学曲线服从抛物线规律;而在1 100~1 300℃区间,则偏离了抛物线规律,氧化速率随温度的升高先增大后减小。经过高温预氧化处理之后,SiC试样在等温氧化过程中,氧化动力学曲线为直线,较未预处理试样氧化增重显著减少;连续升温氧化过程中,和未预处理试样相比,剧烈氧化开始温度升高,同时其氧化速率及最终的氧化增重均大幅度降低。说明了高温预氧化处理能够有效提高SiC陶瓷的抗氧化性能。
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