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New materials for diode laser pumping of solid-state lasers .2 C. A. Wang,S. H. Groves. IEEE Journal of Quantum Electronics . 1992
980nm应变单量子阱的理论设计
被引：5
作者：
李树强
陈江华
于复生
夏伟
张福厚
机构：
[1] 山东工业大学省光电子中心!济南
来源：
关键词：
应变层;
半导体激光器;
单量子阱;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN24 [激光技术、微波激射技术];
学科分类号：
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要：
研究了应变单量子阱势阱宽度的计算方法 ,为应变单量子阱的设计提供了理论依据 .对于确定的材料组份 ,根据应变理论及有限深势阱的处理方法 ,系统地计算了 980 nm应变单量子阱宽度 ,理论计算与实验结果相吻合
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