石墨烯/Si晶体管的研究进展

被引：1

作者：

丁澜 ^{[1
,2
]}

马锡英 ^{[1
]}

机构：

[1] 苏州科技学院数理学院

[2] 浙江师范大学数理信息学院

来源：

微纳电子技术 | 2011年 / 48卷 / 12期

关键词：

石墨烯; 石墨烯/Si晶体管; 制备方法; 电学特性; 磁学特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

O613.71 [碳C];

学科分类号：

摘要：

石墨烯具有很多优异的力学、电学和结构特性,可用于制备高速、低功耗的半导体电子器件和集成电路芯片。简要介绍了三种石墨烯/Si的制备方法,即剥离法、外延法、剪切和选择转移印刷法,其中外延生长的石墨烯被认为是最终实现碳集成电路的唯一途径。并给出了采用上述方法制备的石墨烯/Si晶体管的电阻、磁阻、载流子迁移和输运特性以及量子霍尔效应(QHE)等电学特性。发现石墨烯/Si晶体管最高频率达155GHz,在室温下具有异常的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应。其电荷载流子浓度在电子和空穴之间连续变化,可高达1013 cm-2,迁移率可达2×105 cm2/(V.s)。

引用

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