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发光二极管的特性研究
被引:20
作者
:
蒋芸
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
同济大学应用物理系
蒋芸
鲍丽莎
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机构:
同济大学应用物理系
鲍丽莎
曹正东
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机构:
同济大学应用物理系
曹正东
机构
:
[1]
同济大学应用物理系
来源
:
实验室研究与探索
|
2007年
/ 06期
关键词
:
发光二极管;
阈值电压;
禁带宽度;
半值角;
视角;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN312.8 [];
学科分类号
:
0803 ;
摘要
:
通过测量各发光二极管的正向伏安特性以及光谱特性,确定发光二极管的阈值电压和其禁带宽度所对应的电压。测量结果表明阈值电压与禁带宽度所对应电压不相等,对此作了理论分析。并通过测量高亮度和非高亮度发光二极管的发光强度角分布特性,确定两种发光二极管的半值角和视角。测量结果表明两种发光二极管的半值角皆小于20°,具有很好的指向性。
引用
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半导体物理[M]. 浙江大学出版社 , 季振国编著, 2005
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