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利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量
被引：1
作者：
张正选
罗晋生
袁仁峰
何宝平
姜景和
罗尹虹
机构：
[1] 西安交通大学微电子所!西安
[2] 西北核技术研究所
[3] 西安
[4] 西北核技术研究所!西安
来源：
关键词：
I-V特性;
辐射;
界面陷阱;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN407 [测试和检验];
学科分类号：
摘要：
本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系
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页码：129 / 130+133
页数：3
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