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6H-SiC反型层电子迁移率的Monte Carlo模拟
被引：2
作者：
尚也淳
张义门
张玉明
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子所!西安
来源：
关键词：
6H-SiC;
MonteCarlo模拟;
散射;
库仑电荷;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
用单电子MonteCarlo方法对 6H SiC反型层的电子迁移率进行了模拟 ,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型 ,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性 .MonteCarlo模拟的结果表明 ,当表面有效横向电场高于 1.5× 10 5V/cm时 ,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用 ,而当有效横向电场小于该值时 ,沟道散射以库仑散射为主 .
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页码：157 / 159
页数：3
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