SiC颗粒弥散对相变增韧陶瓷高温蠕变性能的影响

研究了SiC颗粒对相变增韧陶瓷Y-TZPAZTA高温蠕变性能的影响。实验结果表明,Y-TZP的蠕变机理为晶界扩散和晶界滑移,SiC颗粒可以有效地抑制晶界滑移过程,大幅度提高Y-TZP的抗蠕变性能;但由于Y-TZP陶瓷的晶界扩散速率大,使Y-TZP/SiC的抗蠕变性能仍较差。同样,SiC颗粒可以抑制ZTA的晶界滑移,使ZTA的抗蠕变性能提高8倍左右。用TEM分析了相变增韧陶瓷的蠕变过程及SiC颗粒对蠕变过程的影响。