SF中绝缘子表面电荷积聚及其对直流GIL闪络特性的影响

被引：51

作者：

张博雅 ^{[1
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]}

王强 ^{[1
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张贵新 ^{[1
,2
]}

李金忠 ^{[3
]}

机构：

[1] 清华大学电机工程与应用电子技术系

[2] 清华大学电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点试验室

[3] 不详

来源：

高电压技术 | 2015年 / 41卷 / 05期

关键词：

表面电荷; 绝缘子; SF6; 气体绝缘; GIL; 特高压直流; 闪络; 静电探头;

D O I：

10.13336/j.1003-6520.hve.2015.05.009

中图分类号：

TM216 [绝缘子和套管];

学科分类号：

摘要：

随着中国特高压直流输电工程建设进程的逐渐加快,直流气体绝缘输电线路(GIL)的需求日益迫切,对GIL在特高压直流下一些关键问题的研究显得至关重要。因此针对直流电压下GIL中盆式绝缘子表面电荷积聚问题展开研究,建立了一套基于静电探头法的表面电荷测量系统,研究了在SF6气体环境中,不同电压幅值和电压极性反转情况下绝缘子表面电荷的积聚规律。同时,在特高压直流GIL试验单元上进行了直流闪络试验,研究了绝缘子表面电荷积聚对直流闪络特性的影响。研究结果表明:在0.5 MPa的SF6中,绝缘子表面主要积聚与所加直流电压极性相反的电荷,这种电荷分布将增大绝缘子表面与中心电极间的局部场强,并将进一步导致绝缘子闪络;GIL中盆式绝缘子的直流耐受电压仅为交流耐受电压的64%左右。该研究为GIL中盆式绝缘子在直流电压下闪络电压下降提供了一种可能的解释。

引用

页码：1481 / 1487

页数：7

共 10 条

[1] 基于表面电位测量的表面电荷反演计算 [J].