微加工工艺应力的喇曼在线测量

被引：2

作者：

桑胜波 ^{[1
]}

薛晨阳 ^{[1
]}

张文栋 ^{[1
]}

熊继军 ^{[1
]}

阮勇 ^{[2
]}

张大成 ^{[2
]}

郝一龙 ^{[2
]}

机构：

[1] 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室

[2] 北京大学微电子研究院

来源：

半导体学报 | 2006年 / 06期

关键词：

微加工工艺; 残余应力; 喇曼; 在线测量;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

针对微加工工艺过程造成的残余应力,文中提出了喇曼在线测量方法,并对最常用的三种微加工工艺:淀积、腐蚀或刻蚀及键合进行了喇曼在线测量.测量结果与理论分析相符,淀积工艺中,氮化硅对硅片造成的残余应力比氧化硅造成的大,且氧化硅在硅衬底上形成的残余应力是压应力,氮化硅形成的是张应力;刻蚀工艺和键合工艺对硅片造成了相对较大的应力分布,且都为张应力,最大值超过300MPa.

引用

页码：1141 / 1146

页数：6

共 4 条

[1] IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究 [J].

倪锦峰 ;

王家楫 .

半导体技术, 2004, (04) :40-44

[2] MEMS薄膜中的残余应力问题 [J].

朱长纯 ;

赵红坡 ;

韩建强 ;

崔万照 .

微纳电子技术, 2003, (10) :30-34

[3] 硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 [J].

王阳元 ;

武国英 ;

郝一龙 ;

张大成 ;

肖志雄 ;

李婷 ;

张国炳 ;

张锦文 .

电子学报, 2002, (11) :1577-1584

[4] 多晶硅薄膜应力特性研究 [J].

张国炳 ;

郝一龙 ;

田大宇 ;

刘诗美 ;

王铁松 ;

武国英 .

半导体学报, 1999, (06) :24-28

← 1 →