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FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响
被引：4
作者：
文玉梅
王东
李平
陈蕾
吴治峄
机构：
[1] 重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室
来源：
关键词：
层合结构;
最优偏置磁场;
高磁导率;
磁电电压转换系数;
D O I：
暂无
中图分类号：
O482.5 [磁学性质];
学科分类号：
070205 ;
0805 ;
080502 ;
0809 ;
摘要：
构造了FeCuNbSiB/FeNi/PZT磁电复合结构并与FeNi/PZT复合结构进行了对比研究.分析了高磁导率材料FeCuNbSiB对FeNi磁场的影响机理,研究了FeCuNbSiB/FeNi/PZT三相复合结构的磁电效应.实验表明,在FeNi/PZT两相层合结构中黏接FeCuNbSiB层后:1)最优偏置磁场从200Oe降低到55Oe,最大谐振磁电电压系数从1.59V/Oe增大到2.77V/Oe;2)在低偏置磁场中,层合结构磁电电压转换系数提高了1.7—7.8倍;3)层合结构的磁电电压对静态磁场的灵敏度从19.1mV/Oe增大到158.6mV/Oe.三相复合结构磁电效应的这些变化均来自于层合结构端面磁化状态的改变———高磁导率材料相的加入使复合结构的磁化增强.
引用
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页码：635 / 640
页数：6
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