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半导体器件中的噪声及其低噪声化技术.[M].庄奕琪;孙青编著;.国防工业出版社.1993,
集成运算放大器参数时漂的1/f噪声预测方法
被引：1
作者：
庄奕琪
孙青
侯洵
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子研究所
[2] 中国科学院西安光学精密机械研究所 西安
[3] 西安
来源：
关键词：
1/f噪声;
运算放大器;
漂移;
氧化层陷阱;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN722.77 [];
学科分类号：
080902 ;
摘要：
寿命试验和噪声测试结果表明,如果集成运算放大器的主要失效模式是输入偏置电流或失调电流随时间的漂移,则这种漂移量与运放的1/f噪声电流具有强相关性,二者近似呈正比关系。理论分析表明,这种漂移可归因于作为1/f噪声直接起源的氧化层陷阱对硅中电子的慢俘获作用。据此,提出了通过1/f噪声测量对集成运放特定参数时漂进行快速无损评估的方法。
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页数：7
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