氧化物半导体的表面过程与气敏机理

被引：12

作者：

徐毓龙

周晓华

曹全喜

机构：

[1] 西安电子科技大学

来源：

传感器技术 | 1991年 / 06期

关键词：

金属氧化物半导体; 气敏传感器; 吸附和脱附; 催化剂; 晶粒尺寸效应;

D O I：

10.13873/j.1000-97871991.06.001

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文讨论了金属氧化物表面的气—固,气—气反应及其相关的电子过程。这是金属氧化物半导体电阻型气敏传感器作用机理的基础。在此基础上,定性和半定量地解释了许多实验事实。

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共 3 条

[1]

氧化物与化合物半导体基础.[M].徐毓龙著;.西安电子科技大学出版社.1991,

[2]

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