共 2 条
等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析
被引:3
作者:
承焕生
王季陶
周筑颖
徐志伟
任月华
张世理
机构:
[1] 复旦大学
来源:
关键词:
氮化硅膜;
等离子体淀积;
腐蚀速率;
等离子体应用;
PECVD;
基体温度;
含氢量;
D O I:
暂无
中图分类号:
学科分类号:
摘要:
采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应16O(d,p)17O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。
引用
收藏
页码:63 / 67
页数:5
相关论文