等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

被引:3
作者
承焕生
王季陶
周筑颖
徐志伟
任月华
张世理
机构
[1] 复旦大学
关键词
氮化硅膜; 等离子体淀积; 腐蚀速率; 等离子体应用; PECVD; 基体温度; 含氢量;
D O I
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中图分类号
学科分类号
摘要
采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应16O(d,p)17O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。
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共 2 条
[1]   背散射和核反应技术用于氮化硅薄膜分析 [J].
承焕生 ;
徐志伟 ;
赵国庆 ;
周筑颖 ;
任月华 ;
王季陶 .
半导体学报, 1982, (01) :62-67
[2]   用背散射进行物质分析 [J].
承焕生 ;
汤家镛 ;
徐志伟 ;
杨福家 ;
赵国庆 ;
周筑颖 .
复旦学报(自然科学版), 1979, (02) :17-26